リオニクス・インターナショナル統合フォトニクスおよびカスタム MEMS デバイス ソリューションのプロバイダーである同社は最近、REAP プロジェクトのアライアンス パートナーと協力して、より狭い範囲の近赤外光に対応するチップ上の超狭線幅波長可変レーザーを開発しました。 線幅は 22 kHz、同調範囲は 45 nm、出力電力は 5 dBm、SMSR は -40 dB です。
外部共振器バーニアレーザーのハイブリッド統合
このレーザーもシンプルに見えます。半導体光増幅器が、ファイバー アレイに直接信号を供給する TriPleX® チップに接続されています。 レーザー出力は、プラットフォーム上に実装されたバーニア フィルターと 2 つの調整可能なマイクロリング共振器を含む巧妙に集積された回路から供給されます。また、出力結合効率を調整するためのマッハ ツェンデル干渉計も含まれています。
長期使用に対する熱安定性を確保するために、レーザーはフォトニック集積回路に取り付けられた負の温度係数サーミスタと、14-ピン バタフライ パッケージに配置された熱電冷却器でセットアップされています。 温度管理、および波長と出力の調整は、外部共振器レーザーで使用するために開発された内部レーザー コントローラーの 1 つを使用して電子的に調整されます。
広範囲にわたる高速チューニング
中心波長 800 nm で、このデバイスの最大出力パワーは 5 dBm、最小サイドモード除去比は -40 dB です。 丸 1 日以上動作をテストした後、このレーザー出力は最小限のドリフトと 25 度の一定のパッケージ温度を示しました。 測定された光の固有線幅は 22 kHz、同調速度はサブ kHz です。
この回路は、850 nm MPW サービスを使用して製造され、横導波管コーンを使用してチップをゲインセクションと出力ファイバーに正確に接続しました。 これらのインターフェイスでの光損失は、ゲイン側で 0.3 dB、ファイバ側で 0.4 dB まで低くなります。 同社の TriPleX® プラットフォームは垂直導波管コーンもサポートしていますが、これはこのプロトタイプでは使用されていません。
