東京大学は、ガラス基板のレーザーマイクロホール処理のための新しい技術の開発に成功しました
最近、東京大学は、次世代の半導体ガラス基板向けの「レーザーマイクロホール処理技術」の開発の成功を発表しました。これは、高精度、非常に小さなアパーチャ、および高アスペクト比、ガラス材料のマイクロホール処理を実現できます.実験で使用されるガラス基板は、AGCによって生成されます "{6}" {6} "En-A1"が生産されます。
ウルトラショートパルスディープウルトラバイオレレーザーの助けを借りて、チームはガラス材料のミクロンレベル精度処理を達成しました。浸透穴の直径は10ミクロン未満であり、アスペクト比は以前に20：1.に達する可能性があります。このボトルネックを突破しましたが、亀裂のない高品質の穴処理も達成しました.さらに、このプロセスでは化学処理の手順は必要ありません。これにより、液体廃棄物処理によって引き起こされる環境負担を大幅に減らすことができます.
EN-A1ガラスに上および側面から掘削されたマイクロプロアの顕微鏡画像
この成果は、基質のコア材料とガラスベースへの介在物材料の遷移としての次世代半導体製造のポスト処理技術.の重要なマイルストーンであり、この技術は、将来的には、統合型の施設に向けて半導体の開発の開発を促進することが期待されると予想されます。テクノロジー.
