自動車エレクトロニクス業界との接触は、IGBTユニットが、電気自動車が加速したときに電流出力を制御するコアコンポーネントであり、エネルギーフィードバックをブレーキする際の電流入力であることを知っています。IGBTとは何ですか?IGBTは、BJT(バイポーラトランジスタ)とMOS(絶縁ゲート電界効果トランジスタ)で構成される絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の略称です。IGBTは、MOSFETの高入力インピーダンスとGTRの低伝導電圧降下の利点があります。ACモータ、インバータ、スイッチング電源、照明回路、トラクション駆動、その他の分野など、直流電圧600V以上のコンバータシステムに非常に適しています。この章のテーマは、自動車用電子IGBTモジュールのレーザーはんだ付けの応用について説明することです。
IGBTモジュールは、特定の回路ブリッジIGBTモジュールを介してIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタチップ)とFWD(自由奔放ダイオードチップ)で構成されるモジュラー半導体製品で、インバータ、アップ、その他の機器に直接適用されます。IGBTモジュールは、省エネ、簡単な設置とメンテナンス、安定した放熱などの特性を持っています。現在、市場で販売されている製品のほとんどは、このようなモジュラー製品であり、一般的なIGBTはまた、IGBTモジュールを指します。省エネルギーと環境保護の概念の推進に伴い、市場での製品の普及がますます進んでいきます。
IGBTモジュールがパッケージ化される前に、IGBTチップとダイオードチップははんだを通してDBC基板上に溶接され、次いでチップを使用したDBCを接着し、次いで二次溶接を行います。このプロセスでは、溶接されたサブユニットが酸化されるのを防ぐために洗浄され、次にサブユニット、電極、溶接パッドおよび溶接リングが装置を通してアルミニウム炭化物の放熱ベースプレートに溶接される。
